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        等離子體清洗技術(shù)在半導(dǎo)體IGBT芯片封裝中的關(guān)鍵作用

        2025-12-26

          在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片因其高頻率、高電壓和大電流的處理能力,已成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心。其封裝質(zhì)量直接決定了模塊的可靠性、導(dǎo)熱性能和長期穩(wěn)定性。在這一精密制造過程中,微小的污染物或氧化層都可能導(dǎo)致界面失效、熱阻增加乃至器件早期損壞。等離子體清洗技術(shù),作為一種高效、環(huán)保的干法清洗工藝,正成為提升IGBT封裝質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以晟鼎等離子體清洗技術(shù)為代表的先進解決方案,為該過程提供了強有力的支持。

        一、 IGBT封裝面臨的清潔挑戰(zhàn)
          IGBT封裝工藝復(fù)雜,涉及多個關(guān)鍵界面,如芯片與直接覆銅(DBC)基板的焊料焊接、DBC中銅層與陶瓷的鍵合、以及終端塑封料與框架/基板的結(jié)合等。在這些工序之前,材料表面可能存在以下污染物:

          有機污染物:如樹脂殘留、環(huán)境有機分子等,會嚴(yán)重阻礙焊接和粘接。

          氧化物:金屬表面(如銅層、鋁鍵合墊)的自然氧化層,會大幅降低焊料的潤濕性和鍵合強度。

          微粒污染:微小的塵埃顆粒,可能引起局部放電或焊接空洞。

          傳統(tǒng)濕法化學(xué)清洗存在清洗液殘留、環(huán)保壓力大、對精細結(jié)構(gòu)清洗效果不佳等局限性。而等離子體清洗技術(shù)則能有效克服這些難題。

        二、 等離子體清洗技術(shù)的作用原理
          等離子體是物質(zhì)的第四態(tài),由離子、電子、自由基和中性粒子組成。晟鼎等離子體清洗技術(shù)主要在高壓電場作用下,工藝氣體電離形成等離子體,其清洗作用主要通過兩種機制實現(xiàn):

          化學(xué)作用:通入反應(yīng)氣體(如氧氣、氫氣),產(chǎn)生活性自由基與表面污染物發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成易揮發(fā)的產(chǎn)物被真空抽走。例如,氧等離子體能高效去除有機污染物,氫等離子體則可還原金屬氧化物。

          物理作用:通入惰性氣體(如氬氣),高能離子在電場加速下轟擊材料表面,通過物理濺射效應(yīng)剝離污染物,同時能顯著活化和粗化表面,增大其比表面積。


        三、 晟鼎等離子體清洗技術(shù)在IGBT封裝中的具體應(yīng)用與作用
          晟鼎等離子體清洗技術(shù)憑借其精準(zhǔn)的工藝控制、均勻的清洗效果和穩(wěn)定的設(shè)備性能,在IGBT封裝全流程中扮演著多個重要角色:

          芯片貼裝前清洗:在將IGBT芯片焊接到DBC基板銅層之前,對基板表面進行清洗。晟鼎等離子體可徹底去除銅層表面的氧化層和有機污染物,使焊料(如焊片或燒結(jié)銀漿)能夠完美鋪展,形成均勻、低空洞率的焊接層,極大降低熱阻和熱機械應(yīng)力,提升散熱能力和可靠性。

          DBC/AMB基板預(yù)處理:對于直接覆銅(DBC)或活性金屬釬焊(AMB)陶瓷基板,其銅層與陶瓷的鍵合邊緣及表面可能存在微量的工藝殘留或氧化。等離子清洗能凈化并活化表面,確保后續(xù)的環(huán)氧樹脂涂覆或其它工藝具有優(yōu)異的附著性。

          引線鍵合前清洗:IGBT芯片的鋁鍵合墊表面在空氣中會形成氧化鋁薄膜,嚴(yán)重影響金線或鋁線的鍵合強度。晟鼎氫基等離子體(如Ar/H2混合氣體)能有效還原去除這層氧化膜,并輕微活化鋁表面,從而大幅提升鍵合界面的金屬間化合物形成質(zhì)量,減少虛焊,提高鍵合拉力值和長期可靠性。

          塑封前框架清洗與活化:在轉(zhuǎn)移成型塑封之前,對環(huán)氧塑封料(EMC)與銅框架、陶瓷基板等結(jié)合的表面進行等離子處理。晟鼎技術(shù)能去除脫模劑殘留等弱邊界層,并顯著提高材料表面能,使環(huán)氧樹脂與金屬/陶瓷表面形成牢固的物理和化學(xué)結(jié)合,有效防止分層、吸濕和腐蝕通道的形成,確保模塊的氣密性和機械強度。

          燒結(jié)銀工藝前處理:在采用低溫?zé)Y(jié)銀漿作為連接材料的高功率密度IGBT模塊中,基板與芯片背銀表面的潔凈度要求極高。等離子清洗能為燒結(jié)銀工藝提供近乎完美的活性表面,促進銀顆粒的致密燒結(jié),形成高導(dǎo)熱、高導(dǎo)電、高可靠性的連接層。

        四、 晟鼎等離子體清洗技術(shù)的核心優(yōu)勢

          相較于傳統(tǒng)方法,晟鼎等離子體清洗技術(shù)在IGBT封裝應(yīng)用中凸顯多重優(yōu)勢:

          高潔凈與高活性:能到達微孔和復(fù)雜結(jié)構(gòu)內(nèi)部,實現(xiàn)納米級清潔,并大幅提升材料表面能。

          低溫?zé)o損傷:過程溫度低,避免對精密器件和材料造成熱損傷。

          工藝精準(zhǔn)可控:氣體類型、功率、時間等參數(shù)可精確調(diào)控,適應(yīng)不同材料與污染類型。

          綠色環(huán)保:耗材少,無有害化學(xué)廢液,符合現(xiàn)代半導(dǎo)體制造環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

          在線集成能力:易于集成到自動化封裝生產(chǎn)線中,提高生產(chǎn)效率和一致性。


          在追求更高功率密度、更長壽命和更苛刻工作環(huán)境的半導(dǎo)體封裝行業(yè),界面質(zhì)量控制是永恒的課題。等離子體清洗技術(shù),特別是如晟鼎所提供的成熟、穩(wěn)定、高效的解決方案,已成為IGBT芯片封裝過程中不可或缺的核心工藝之一。它不僅解決了微觀尺度的清潔難題,更通過表面活化從根本上提升了各界面層的結(jié)合質(zhì)量,為制造出高性能、高可靠的功率半導(dǎo)體模塊奠定了堅實基礎(chǔ),有力推動了新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等關(guān)鍵領(lǐng)域的技術(shù)進步。

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