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        提升IGBT封裝性能與可靠性的等離子體清洗技術

        2025-12-30

          絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心部件,其封裝質量直接關系到模塊的可靠性、導熱性和長期穩(wěn)定性。在封裝過程中,芯片、基板、鍵合線及塑封料之間的界面潔凈度是影響性能的關鍵因素。微量的有機污染物、氧化層或顆粒殘留都會導致界面粘接不良、熱阻增大、接觸電阻升高,甚至引發(fā)早期失效。傳統(tǒng)的濕法清洗或擦拭方法存在化學殘留、難以處理微細結構、環(huán)保壓力大等局限。而等離子清洗技術,作為一種干式、環(huán)保、高效的表面處理工藝,正日益成為IGBT高端封裝中不可或缺的關鍵環(huán)節(jié)。


          晟鼎等離子體清洗技術,憑借其穩(wěn)定的等離子體源生成、均勻的處理效果以及靈活的參數(shù)調控能力,在IGBT封裝的多道工序中發(fā)揮著重要作用。



        一、 芯片貼裝前基板與框架的清洗

          在芯片燒結或粘貼之前,直接覆銅(DBC)基板或引線框架表面可能存在氧化層、有機污染物和微塵。這些污染物會嚴重影響焊料或燒結銀膏的浸潤與鋪展,導致焊接空洞率增加、結合強度下降、熱導路徑受阻。晟鼎等離子清洗機通過產生高活性的氧等離子體或氬氫混合等離子體,能有效分解和去除基材表面的有機污染物,同時通過離子轟擊物理去除極薄的氧化層,使表面能顯著提高,呈現(xiàn)微觀“活化”狀態(tài)。這為后續(xù)的焊料或銀膏提供了潔凈且活性高的表面,確保形成低空洞率、高強度的冶金結合,極大提升了界面的導熱與導電性能。

        二、 引線鍵合前的芯片與焊盤清洗
          在芯片貼裝后、引線鍵合之前,芯片表面的焊盤(鋁或銅 pad)以及對應的框架焊點可能因高溫工序產生新的氧化或受到環(huán)境微污染。氧化層和污染物是導致鍵合強度不足、鍵合線脫落或電阻增大的主要原因。晟鼎等離子體技術,特別是采用適中的射頻功率和合適的工藝氣體(如氧氣、氮氣、氬氣等),能夠在不損傷芯片敏感結構的前提下,精確清潔焊盤表面。該過程能去除氧化鋁等鈍化層,使金屬表面恢復潔凈與活性,從而大幅提高金線或鋁線的鍵合強度與一致性,降低虛焊風險,確保電流傳輸?shù)姆€(wěn)定性。

        三、 塑封前的整體表面活化

          在完成內部互聯(lián)后、進行轉移模塑封裝之前,整個模塊組件(包括芯片、鍵合線、基板)的表面狀態(tài)對塑封料的粘結性能至關重要。塑封料與各種材料(陶瓷、金屬、硅、塑料)之間良好的粘結是防止分層、阻擋水汽侵入、抵抗熱機械應力的基礎。晟鼎等離子清洗技術能對復雜三維結構進行均勻處理,通過等離子體中的活性粒子與材料表面發(fā)生反應,在材料表面引入羥基等極性基團,顯著提高其表面能和潤濕性。這種“活化”處理使得環(huán)氧塑封料能更好地流淌、浸潤每一個微觀角落,形成機械互鎖強、界面緊密的包封體,有效防止在溫度循環(huán)等應力下出現(xiàn)界面分層,提升了模塊的耐濕性、絕緣性和長期可靠性。


        晟鼎等離子體技術的核心優(yōu)勢
          在IGBT封裝應用中,晟鼎等離子體清洗技術展現(xiàn)出多重優(yōu)勢:首先,它是干式物理化學過程,無廢水廢液產生,環(huán)保安全;其次,處理溫度低,避免對精密器件產生熱損傷;再者,能處理復雜幾何形狀和微孔結構,清洗均勻且徹底;最后,工藝可控性強,通過調節(jié)氣體種類、功率、時間等參數(shù),可針對不同污染物和基材進行優(yōu)化,實現(xiàn)精準清洗與活化。
          綜上所述,等離子清洗技術已深度融入IGBT封裝的核心工藝流程,成為保障模塊高性能與高可靠性的關鍵技術措施。晟鼎等離子體清洗技術以其高效、精準、環(huán)保的特點,有效解決了IGBT封裝中的界面潔凈難題,從芯片貼裝、引線鍵合到最終塑封,全方位提升了界面的結合質量,為制造出更緊湊、更高效、更可靠的IGBT功率模塊提供了強有力的工藝支撐,助力于新能源汽車、工業(yè)控制、新能源發(fā)電等領域電力電子裝備的持續(xù)進步。


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