相變存儲器（PCM）是一種利用鍺銻碲（GST）合金材料在非晶態(tài)與晶態(tài)之間發(fā)生快速、可逆相變的特性來存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲器，具有高速度、低功耗和高存儲密度等優(yōu)點，在汽車電子、人工智能計算、工業(yè)控制等嵌入式領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。
GST材料退火的兩大核心應(yīng)用
在GST材料的研發(fā)與器件制造過程中，退火是一項關(guān)鍵且必須的工藝環(huán)節(jié)，其主要應(yīng)用體現(xiàn)在以下兩個方面：
材料晶化與性能調(diào)控
在器件制備初期，需通過退火工藝實現(xiàn)均勻、可控的晶體化，將其從高電阻轉(zhuǎn)為低電阻（即非晶態(tài)→晶態(tài)），以獲得特定的電學(xué)或光學(xué)性能；
相變行為與器件性能研究
通過在不同溫度與時間條件下對GST樣品進行退火實驗，可觀測其電阻與結(jié)構(gòu)變化，為器件優(yōu)化提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。
*GST材料，圖源網(wǎng)絡(luò)，侵刪
GST與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料退火的區(qū)別
與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料（如硅）通過退火修復(fù)晶格損傷不同，GST（鍺銻碲）材料的退火并非單純的缺陷修復(fù)過程。
*GST材料與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料退火的區(qū)別
GST材料退火的核心在于精確控制其相變狀態(tài)，因此對于退火的溫度、時間、氣氛等提出了嚴格的要求：
1、精確的溫度控制
退火溫度須高于GST結(jié)晶溫度，且低于其熔點溫度（約600°C），溫度過低，結(jié)晶無法發(fā)生或速度過慢；溫度過高則可能導(dǎo)致器件功能破壞或材料分解。
2、嚴謹?shù)臅r間窗口
退火時間需確保材料完成充分的晶核形成與晶粒生長，同時防止時間過長導(dǎo)致的晶粒過度生長或不必要的相分離。
3、惰性氛圍保護
退火通常在氮氣或氬氣等惰性環(huán)境中進行，以避免GST材料（特別是碲）在高溫下被氧化。
根據(jù)以上GST半導(dǎo)體材料的特性，晟鼎RTP快速退火爐提供了可靠的解決方案：
1、精準(zhǔn)的溫度控制：
溫度制程范圍覆蓋200-1250℃，采用PID 控溫，可精準(zhǔn)控制溫度升溫，保證良好的重現(xiàn)性與溫度均勻性，符合GST材料對于退火溫度要求。
2、升溫速率快：
可達150℃/s，工藝時間短，可避免GST材料結(jié)晶過度或相分離。
3、工藝靈活：
標(biāo)配2組工藝氣體，可根據(jù)不同材料需求調(diào)節(jié)氣體，滿足GST材料對于惰性氣氛的要求。
